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铝蚀刻加工的工艺？

2023-05-11 10:00

铝蚀刻加工我们从它的名字上就可以看出来这款产品是用来干什么的，这款产品也在经过不断的完善以后功能越来越多了，为了让更多的人熟悉它，接下来小编就为大家来介绍一下铝蚀刻加工的工艺它的一些基本信息呢？想知道的话那就一起来看看吧，希望能为你带来帮助。

铝蚀刻加工在半导体干法刻蚀工艺中，根据刻蚀材料的不同，可分为金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。金属蚀刻可分为铝金属蚀刻、钨金属蚀刻和氮化钛蚀刻。目前，金属铝作为布线材料，仍广泛应用于DRAM、闪存等存储器以及0.13um以上的逻辑产品中。

铝蚀刻加工中Arionization生成Ar+，主要提供对硅片表面的物理垂直轰击。N2、CHF3和C2H4是主要的钝化气体，N2和金属侧壁氮化产生的AlxNy、CHF3和C2H4与光刻胶反应生成聚合物沉积在金属侧壁上形成钝化层阻止进一步反应。

一般反应室内的工艺压力控制在6-14密耳。压力越高，反应室内Cl2浓度越高，蚀刻速度越快。铝蚀刻加工中压力越低，分子与离子之间的碰撞越少，平均自由程增加，离子轰击图形底部的能力增加，这样蚀刻反应的速率就不会下降，甚至停在图形底部图案。

目前，铝蚀刻加工中的双射频电源的设计被广泛应用于金属蚀刻机，例如应用材料公司的DPS（分离等离子源）金属蚀刻机。功率用于加速正离子以提供垂直物理轰击，源功率用于增加反应室中的等离子体浓度。这种双电源设计可以提供对能量和离子浓度的控制，从而扩展工艺窗口和蚀刻工艺的效率。

铝蚀刻加工中基本工艺要求理想的刻蚀工艺具备以下特点主要是各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有侧面倒扣。只有这样，才能保证在蚀刻层上准确地再现出与掩模上一模一样的几何图案；蚀刻选择性好，即对于作为掩膜的掩模及其下一层薄膜或材料的蚀刻速率远小于被蚀刻膜的蚀刻速率，从而保证蚀刻时的电阻掩蔽效果处理，防止膜下其他材料被过蚀损坏；加工批量大，易于控制，成本低，环境污染少，适合工业化生产。

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